仪器设备


ⅢⅤ半导体电感耦合等离子体刻蚀系统

型号: SENTECH SI 500
厂家: 德国 SENTECH公司
技术指标:
   气路:N2, O2, H2, Ar, CF4, SF6Cl2, BCl3, CHF3, CH4
 
样品尺寸:可刻蚀最大8英寸基片
 
控温范围:25-250
 
刻蚀材料:InPGaAsInGaAs等ⅢⅤ族半导体

责任工程师叶通
联系方式:82649098; yetong2023@iphy.ac.cn
仪器位置:C楼超净间千级区

主要功能及应用范围:
     用于InPGaAs等ⅢⅤ族半导体材料的人工微纳结构加工,技术指标如下: 1) 气路:N2, O2, H2, Ar, CF4, SF6Cl2, BCl3, CHF3, CH4. 2) 样品尺寸:最大8英寸基片 3) 最大射频功率:600W (RF)2000W (ICP) 4) 控温范围: 25℃至250℃。