中 文 版
English
首 页
实验室简介
研究方向
人员构成
仪器设备
技术培训
用户指南
信息反馈
仪器设备
●
加工设备
> 电子束曝光系统
> 电子束曝光 JBX-6300FS
> 聚焦离子束系统 DB235
> 聚焦离子束系统 Helios
> 氦氖离子显微镜 ORION
> 紫外曝光系统
> DTL光学曝光系统
> 飞秒激光三维直写系统
> 激光直写设备
> 纳米压印机
●
刻蚀设备
> ⅢⅤ半导体等离子体刻蚀
> 反应离子刻蚀 Plasma80
> 反应离子刻蚀 NGP80
> 离子束刻蚀系统
> 电感耦合等离子体反应离子刻蚀 Plasma100
> 电感耦合等离子体反应离子刻蚀 Cobra
> 微波等离子体去胶机
●
沉积设备
> 超高真空电子束蒸发系统
> 热蒸发系统 DZ-300
> 原子层沉积系统
> 电子束蒸发系统 Peva-600E
> 电子束蒸发系统 FU-12PEB
> 等离子体增强化学气相沉积
> 化学气相沉积系统 ICP-PECVD
●
测量设备
> 超高分辨场发射扫描电镜
> 傅立叶变换光谱仪
> 纳米压痕仪
> 扫描探针显微镜 Bruker
> 半导体特性测量系统
> 椭偏仪
> 多通道电化学工作站
> 表面形貌仪
> 白光干涉表面形貌仪
> 低温四探针电学测试平台
●
辅助设备
> 临界点干燥仪
> 切片机
> 快速退火炉
> 超声波引线仪
> 显微镜
ⅢⅤ半导体电感耦合等离子体刻蚀系统
型号:
SENTECH SI 500
厂家:
德国
SENTECH
公司
技术指标:
气路:
N2, O2, H2, Ar, CF4, SF6
,
Cl2, BCl3, CHF3, CH4
样品尺寸:可刻蚀最大
8
英寸基片
控温范围:
25-250
℃
刻蚀材料:
InP
、
GaAs
、
InGaAs
等ⅢⅤ族半导体
责任工程师
:
叶通
联系方式:
82649098; yetong2023@iphy.ac.cn
仪器位置:
C楼超净间千级区
主要功能及应用范围:
用于
InP
,
GaAs
等ⅢⅤ族半导体材料的人工微纳结构加工,技术指标如下:
1
) 气路:
N2, O2, H2, Ar, CF4, SF6
,
Cl2, BCl3, CHF3, CH4. 2
) 样品尺寸:最大
8
英寸基片
3
) 最大射频功率:
600W (RF)
;
2000W (ICP) 4
) 控温范围:
25
℃至
250
℃。