He离子束系统:
分辨率:0.5 nm
加速电压: 10KV-30 kV
离子束流:0.1 pA 至20pA
加工线宽:≤ 10nm
Ne离子束系统:
分辨率:1.9 nm
加速电压: 10KV-25 kV
离子束流:0.1 pA 至 50pA
加工线宽:10-30 nm
Ga离子束系统:
分辨率:3 nm@30kV,1pAnm@30kV,1pA
加速电压: 1KV-30 kV
离子束流:1 pA 至 100nA
加工线宽:30 nm
辅助气体注入系统:
沉积材料:离子束/电子束诱导的SiO2、W 沉积
样品尺寸:最大2英寸
责任工程师:田士兵