中国科学院物理研究所微加工实验室

超高真空多腔室电子束蒸发镀膜系统

型号： JEB-4
厂家： 台湾铠柏科技有限公司
技术指标:
（1）四个腔室之间可进行样品自动传输

（2）最大样品尺寸4”
（3）本底真空度≤5E-10 Torr

（4）最高加热温度≥1000℃；

（5）镀膜均一性≤2%
（6）离子铣室倾角范围-75°-75°

（7）氧化室最大流量可调范围200sccm，静态与动态氧化可控

（8）生长材料：Al、Ti

责任工程师：田士兵

联系方式：82648198; tianshibing@iphy.ac.cn

仪器位置：M楼超净间千级区

主要功能及应用范围：

该设备配有进样室、离子铣室、蒸镀室、氧化室。离子铣室用于去除样片表面残胶，蒸镀室用于生长厚度均匀致密的铝膜，氧化室用于在铝膜表面形成厚度可控的氧化铝薄膜。