型号： JBX-6300FS
厂家： 日本电子（JEOL）公司
技术指标:
  电压：100 kV
  SEM分辨率：2 nm
  最小线宽：8 nm
  拼接精度：20 nm
  样品台：配备2 mm ~ 4cm方片，2 inch~6 inch圆晶片以及 2 inch和5 inch掩模版卡槽。
责任工程师：耿广州

    采用电子束直接曝光的方法，制作纳米图形结构(最小线宽为8nm)。用于各种微纳器件与纳米人工结构的制作，是研究材料在低维度、小尺寸下量子行为的重要工具，也可用于直写高精度的光刻模板。可用于制作微纳光电子器件，生物传感器，微纳机电系统，超导电子学器件，磁电子学器件，低维材料输运性质测量的纳米电极，光子晶体与左手材料等