型号： System100 PECVD
厂家： 英国 Oxford Instruments公司
技术指标:
   气路：N₂O, SiH₄, NH₃, CH₄, O₂, Ar, N₂
   清洗气路: CF₄/O₂混合气体
   样品尺寸：8英寸table,可沉积最大6英寸基片
   射频源：高频: 13.56 MHz,
   　　　　低频: 50-450 kHz
   控温范围： 室温至400℃
   沉积材料：氧化硅、氮化硅、碳化硅、多晶硅等

     PECVD系统可以借助微波或射频源使含有薄膜组成原子的气体在局部形成等离子体，利用等离子体的强化学活性发生反应，从而在基片上沉积出所期的薄膜，具有基本温度低、沉积速率快、成膜质量好等优点。可沉积氧化硅、氮化硅、碳化硅、多晶硅等材料，能够实现对沉积厚度的精确控制，还可以通过改变反应气体组分在一定范围内调节沉积薄膜的折射率，可应用于微/纳结构中的抗腐蚀层、微纳电子器件中的绝缘层、薄膜太阳能电池等。