型号： DB235
厂家： 美国FEI公司
技术指标:
  电子束分辨率：2 nm
  离子束分辨率：6 nm
  沉积材料：Pt, W等
  增强刻蚀：Si, SiO₂等
  样品尺寸：最大2英寸
责任工程师：金爱子

    该系统为电子束、离子束双束系统。
    聚焦电子束系统可以用于扫描电镜成像，进行样品表面形貌分析。最小分辨率为2nm。
    聚焦离子束用于样品原位加工及表征。离子源为Ga离子源，最小分辨率为6nm。通过聚焦离子束的刻蚀和沉积制作纳米图形(最小线宽为12nm)。用于各种微纳器件和低维纳米人工结构的制作，是研究材料在低维度、小尺寸下量子行为的重要工具；也可用于制备TEM样品和集成电路的失效分析；以及新材料的截面表征以了解材料内部结构等。
    可用于制作下列器件与结构：微纳电子器件，光电子器件，生物传感器与DNA探测器，微纳机电系统，超导电子学器件，磁电子学器件，低维材料输运性质测量的纳米电极，光子晶体等。
    该系统配有纳米操纵探针和原位物性测量系统，可对样品进行纳米尺度的精细操作及原位物性测量。