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仪器设备
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加工设备
> 电子束曝光系统
> 电子束曝光 JBX-6300FS
> 聚焦离子束系统 DB235
> 聚焦离子束系统 Helios
> 氦氖离子显微镜 ORION
> 紫外曝光系统
> DTL光学曝光系统
> 飞秒激光三维直写系统
> 激光直写设备
> 纳米压印机
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刻蚀设备
> ⅢⅤ半导体等离子体刻蚀
> 反应离子刻蚀 Plasma80
> 反应离子刻蚀 NGP80
> 离子束刻蚀系统
> 电感耦合等离子体反应离子刻蚀 Plasma100
> 电感耦合等离子体反应离子刻蚀 Cobra
> 微波等离子体去胶机
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沉积设备
> 超高真空电子束蒸发系统
> 热蒸发系统 DZ-300
> 原子层沉积系统
> 电子束蒸发系统 Peva-600E
> 电子束蒸发系统 FU-12PEB
> 等离子体增强化学气相沉积
> 化学气相沉积系统 ICP-PECVD
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测量设备
> 超高分辨场发射扫描电镜
> 傅立叶变换光谱仪
> 纳米压痕仪
> 扫描探针显微镜 Bruker
> 半导体特性测量系统
> 椭偏仪
> 多通道电化学工作站
> 表面形貌仪
> 白光干涉表面形貌仪
> 低温四探针电学测试平台
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辅助设备
> 临界点干燥仪
> 切片机
> 快速退火炉
> 超声波引线仪
> 显微镜
电感耦合等离子体反应离子刻蚀
Cobra
型号:
PlasmaPro100Cobra
厂家:
英国牛津仪器
技术指标:
气路:HBr, O2, SF6, C4F8
样品尺寸:最大4英寸基片
最大射频功率:RIE: 600W
ICP: 3000W
控温范围: -130℃至150℃
包括工艺:Bosch、低温、硅纳米等
刻蚀材料:硅、氧化硅等
刻蚀精度:最小线宽30nm,最高深宽比30:1,
侧壁倾斜角度85°—92°可调
责任工程师:
耿广州
联系方式:
82649098; genggz@iphy.ac.cn
仪器位置:
M楼超净间千级区
主要功能及应用范围:
用于硅基材料的电感耦合等离子体-反应离子刻蚀,辅助形成具有高宽深比的微/纳结构。可用于各种具有高深宽比或高精细的微纳结构与器件的制作,如:微纳电子器件,光电子器件,生物传感器,微纳机电系统等等。该设备配有氟基气体及液氮及冷却液控温系统,利用氦气快速导热,可适用于硅的纳米刻蚀、低温深刻蚀以及Bosch工艺等。