型号： Helios 600i
厂家： 美国FEI公司
性能指标:

Ga离子束系统：

交叉点分辨率：≤ 4.5 nm @ 30 kV

加速电压： 500 V-30 kV

离子束流：1 pA 至65 nA

束流密度：最大值可达60 A/cm²

辅助气体注入系统：

沉积材料：离子束/电子束诱导的Pt、W 沉积

增强刻蚀：Si, SiO₂等

样品尺寸：最大4英寸

SEM系统：

分辨率：≤ 0.9 nm @ 15 kV；≤ 1.4 nm @ 1 kV；

束交叉点分辨率：≤ 1.0 nm @ 15 kV；≤ 2.5 nm @ 1 kV

加速电压：350 V－30 kV   

电子束流：最大22 nA

样品台：

X、Y 方向最大行程：不低于150 mm，精度优于1.0 µm

Z方向最大行程：10 mm

水平旋转角范围：360º

倾角范围：‐10º至+60º; 水平漂移小于10 nm/min

最大样品高度：55 mm

控制系统：

基于Windows XP 操作系统的32 位图形用户界面

图像显示：两台19” LCD 显示器，SVGA 1280 x 1024，屏幕间切换由软件驱动

图像处理器： 驻留时间0.025 到25000 微秒/像素; 最高像素：4096 x 3536

               文件格式：TIFF (8, 16, 24 位)，BMP 或JPEG 格式; 单幅或4 幅显示

多功能控制面板：

自带16 位图像生成器，可导入GDS 图形文件加工复杂图形

     各种微纳器件和低维纳米人工结构的制作，是研究材料在低维度、小尺寸下量子行为的重要工具。常用于制备微纳电子器件、光电子器件、生物传感器、DNA探测器、微纳机电系统、超导电子学器件、磁电子学器件以及低维材料输运性质测量的纳米电极。还可以通过离子束辐照诱导微纳米材料的形变来进行应变加工，用于光学、电学、磁学、生物等三维新型结构与器件的构建。另外，此设备安装有高精度纳米机械手，方便制备TEM样品以及对微纳米材料进行操控。