型号： PhableR 100S
厂家： 瑞士Eulitha公司
技术指标:
  真空度：10 mBar
  掩膜版支架：5英寸方形掩膜版
  曝光方式：PHABLE（亚微米周期模式、软接触、硬接触）
  水平方向自由度：X、Y轴移动和中轴旋转，微米精度
  具有楔形补偿能力

  最小线宽：0.15μm
  载片台：1×1cm²至10×10cm²
  光束尺寸：100 mm直径
  光束均匀性：±3%
责任工程师：全保刚

    DTL（Displacement Talbot Lithography）光学曝光系统是一种可以制备特征尺寸在纳米及亚微米尺度的新型光学曝光系统。利用Talbot激光干涉曝光技术制备周期性纳米结构，因此可以在一套系统上实现微米和纳米结构的制备。Talbot效应也称为自成像效应，利用透过掩模板以衍射形式传播的干涉光获得周期密度翻倍的图形，以轻易获得250纳米或更小尺寸的光刻胶结构。适用于新型功能材料的器件和结构的制备与性能研究，亚微米、纳米周期结构的制备等。