型号： PlasmalabSystem100
厂家： 英国牛津仪器
技术指标:
1）气路：Cl2, BCl3, HBr, O2, Ar, CHF3, CH4, H2, N2, C4F8, SF6
2）样品台：最大4英寸基片
3）最大射频功率： 600W (RIE)  3000W (ICP)
4）控温范围： -60℃至250℃
5）典型刻蚀工艺：Bosch、硅、GaAs、GaN等

    用于硅基、III-V族半导体及氧化物等材料的电感耦合等离子体-反应离子刻蚀，辅助形成具有高宽深比的微/纳结构。可用于各种具有高深宽比或高精细的微纳结构与器件的制作，如：微纳电子器件，光电子器件，生物传感器，微纳机电系统，超导电子学器件，磁电子学器件等等。该设备配有十一路刻蚀气路及液氮及冷却液控温系统，利用氦气快速导热，可适用于多种材料的刻蚀工艺。