型号： SI 500D
厂家： 德国 SENTECH公司
技术指标:
  气路：Ar，O₂，H₂，SiH₄，NH₃
  清洗气路: CF₄/O₂混合气体
  样品尺寸：可沉积最大4英寸基片
  控温范围：80-130℃
  沉积材料：氧化硅、氮化硅、非晶硅等

     ICPECVD系统可以借助电感耦合射频源使含有薄膜组成原子的气体在局部形成高密度等离子体，利用等离子体的强化学活性发生反应，从而在基片上沉积出所期的薄膜，具有沉积温度低、耐击穿电压高、抗腐蚀能力强、消光系数小、薄膜应力低等优点；此外，设备配置了底电极，能实现孔径＜500nm，深宽比＜2:1的孔结构的填充。该设备用于沉积氧化硅、氮化硅、非晶硅薄膜，可应用于微/纳结构中的抗腐蚀层、微纳电子器件中的绝缘层等。