型号： RIE-400iPB
厂家： 日本 SAMACO
技术指标:
   样品尺寸：最大4英寸基片
  最大深宽比：≥30：1
  最大刻蚀速率：≥8μm/min
  包括工艺：Bosch、硅纳米等
  刻蚀材料：硅
  刻蚀精度：最小线宽30nm，侧壁倾斜角度85°—92°可调

  均匀性：≥95%

  重复性：≥95%

    用于硅基、III-V族半导体及氧化物等材料的电感耦合等离子体-反应离子刻蚀，辅助形成具有高宽深比的微/纳结构。可用于各种具有高深宽比或高精细的微纳结构与器件的制作，如：微纳电子器件，光电子器件，生物传感器，微纳机电系统，超导电子学器件，磁电子学器件等等。该设备配有十一路刻蚀气路及液氮及冷却液控温系统，利用氦气快速导热，可适用于多种材料的刻蚀工艺。