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实验室简介
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仪器设备
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仪器设备
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光刻单元
> 高压电子束曝光系统
> 电子束扫描/直写系统
> 激光直写设备
> 紫外曝光系统
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刻蚀单元
> 聚焦离子束双束系统
> 反应离子束刻蚀机
> 电感耦合等离子体深硅刻蚀
> 电感耦合等离子刻蚀机
> 反应离子刻蚀系统
> 氩离子束刻蚀设备
> 微波等离子体去胶机
> 酸碱湿法腐蚀台
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沉积单元
> 超高真空电子束蒸发系统
> 超高真空磁控溅射镀膜机
> 富氧电子束蒸发沉积系统
> 电子束蒸发系统
> 原子层沉积系统
> 等离子体增强化学气相沉积
> 离子束溅射沉积系统
> 晶圆光刻预处理系统
> 离子溅射仪
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表征单元
> 扫描探针显微镜
> 激光共聚焦显微镜
> 台阶仪
> 白光干涉表面形貌仪
> 光学显微镜
> 四探针电学测试系统
> 薄膜应力测量仪
> 椭偏仪
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辅助单元
> 砂轮切片机
> 激光切片机
> 快速退火炉
> 超声波引线仪
> 程控旋转涂胶机
> 程控干胶仪
> 真空烘箱
紫外曝光系统
MA6
型号:
MA6
厂家:
德国Karl Süss公司
技术指标:
光源波长:350-450 nm
光强均匀性:≥97.5%
晶片尺寸:2-6英寸
接触方式:真空,低真空接触, 硬接触,软接触和接近式接触
对准模式:正和背面两种对准方式
最小线宽:0.5μm
对准精度: 0.5μm(正面);1μm(背面)
责任工程师:
伦婷婷
联系方式:
81258580; luntingting@iphy.ac.cn
仪器位置:
怀柔微纳加工实验室超净间
主要功能及应用范围:
采用紫外光源,制作亚微米(最小线宽0.5 μm)的图形。可用于各种微器件的制作和低维人工结构的形成,如制作下列器件结构:微电子器件,光电子器件,生物传感器,微机电系统,超导电子学器件,磁电子学器件等,也是研究材料在低维度、小尺寸下量子行为的重要辅助工具。