型号： eLine Plus
厂家： 德国 Raith公司
技术指标:
  SEM分辨率：1.6 nm
  最小线宽：12 nm
  拼接精度：40 nm

  套刻精度：40 nm
  样品台：最大4英寸

  沉积最小线宽：50nm

  刻蚀最小线宽：100nm

  最大高压：30KV
责任工程师：潘如豪

    采用电子束直接曝光的方法，制作纳米图形结构(最小线宽为8 nm)。用于各种微纳器件与纳米人工结构的制作，是研究材料在低维度、小尺寸下量子行为的重要工具，也可用于直写高精度的光刻模板。如可用于制作下列器件与结构：微纳电子器件，光电子器件，生物传感器，微纳机电系统，超导电子学器件，磁电子学器件，低维材料输运性质测量的纳米电极，光子晶体与左手材料等。