型号： LLK-150E
厂家： 蓝吉科技
技术指标:
  工作气体：Ar

  最大样品尺寸：4英寸

  本底真空：≤8.5E-5Pa
  离子能量可调范围：1~1000 eV
  最大离子束流：110mA
  刻蚀材料：金属、半导体、氧化物等
  载物台温度：5-25℃

    广泛用于金属、氧化物和半导体等多种材料的离子束刻蚀，在掩膜（一般为光刻胶）的保护下形成微/纳结构。在以光刻胶作为掩膜刻蚀金属方面可以获得较高的选择比，因此可起到与反应离子刻蚀系统互补的作用。典型的应用领域：各种微纳电子器件制作；光子晶体和人工超材料；光电器件的制作；离子束减薄等。