型号： EBPG 5200
厂家： 德国 Raith
技术指标:
  电压：100 kV
  最小线宽：≤8 nm@100μm写场
  拼接精度：≤15nm@250μm写场

  套刻精度：≤5nm@200μm写场

  扫描场畸变：≤10nm@500μm写场

  最大写场：1000μm
  样品台：配备散片及2 inch~8inch圆晶片卡槽。
责任工程师：潘如豪

    采用电子束直接曝光的方法，制作纳米图形结构(最小线宽为8nm)。用于各种微纳器件与纳米人工结构的制作，是研究材料在低维度、小尺寸下量子行为的重要工具，也可用于直写高精度的光刻模板。可用于制作微纳光电子器件，生物传感器，微纳机电系统，超导电子学器件，磁电子学器件，低维材料输运性质测量的纳米电极，光子晶体与左手材料等