报告题目：超高真空薄膜生长技术及设备

报告人：阿列克谢耶夫·阿列克谢·尼古拉耶维奇 博士

           总经理，俄罗斯半导体技术与设备公司(SemiTEq JSC)

报告时间：2018年9月11日（星期二）下午14:00

报告地点：中科院物理研究所ABII404会议室

报告摘要：

半导体技术与设备公司(SemiTEq JSC)于2001年由俄罗斯科学院伊夫物理技术研究所的研究人员创立。因在高真空和超高真空设备研发领域的成功和供应历史而被许多国家所熟知。为了在中国市场推广他们最受欢迎而又值得信赖的产品，SemiTEq JSC已经在中国注册单独的商标STE。公司将为中国客户提供最佳性价比产品和最优的技术支持。

Semiteq公司设计和制造多种符合现代半导体技术要求的高真空和超高真空设备。核心竞争力是研制和生产用于制备宽波段A3B5，宽禁带A2B6和A3N化合物半导体生长的MBE系统。同时，该公司还生产高性能的电子束蒸发、磁控溅射、ICPCVD、PECVD等薄膜生长设备。

本报告将涵盖该公司的整体情况介绍及关键薄膜生长设备的介绍和技术要点分析。