基于铌酸锂光电纳米器件的光电调制器

铌酸锂一直都是光纤的理想材料。但传统的铌酸锂光电调制器不仅存在着价格昂贵、能耗高等各种问题，而且也无法满足日益提高的数据传输需求。芯片尺度的调制器随能解决这些问题，但是低损耗的铌酸锂膜的制备十分困难。哈佛大学的Marko研究组设计制备了完整的单片铌酸锂调制器，较传统调制器尺寸更小效率更高且保留的铌酸锂本身的材料性能。该调制器由纳米级铌酸锂波导、微环谐振器和小型Mach-Zehnder干涉计组成。调制器是通过将铌酸锂膜加工成亚波长结构制备的。对光和微波场的高效率限制使该器件的半波光电调制效率达到1.8 V∙cm，传输速度达到40Gbps。将来，这种器件的集成能够实现高效、低功率和低成本的数据传输网络。该成果发表在Optics Express上。（doi.org/10.1364/OE.26.001547）。

图1：铌酸锂调制器示意图和加工流程图。