利用图形化的PMMA牺牲层制备三维SiO纳米结构

基于电子束曝光制备三维纳米结构已应用于诸多领域，如微透镜阵列、高性能等离激元器件及三维光子晶体等。利用电子束曝光来实现的三维纳米结构主要方法有灰度曝光及低电压的变电压电子束曝光。最近，湖南大学的段辉高研究组发展了一种利用图形化的PMMA作为牺牲层来制备自支撑SiO三维纳米结构的新工艺。该工艺首先在PMMA上利用曝光、显影制备纳米孔，然后涂覆HSQ抗蚀剂，再利用电子束曝光、显影制备顶层的HSQ结构,最后经过高温分解PMMA牺牲层，从而形成自支撑的SiO三维纳米结构，制备得到的三维SiO纳米结构具有高分辨率、低边缘粗糙度的特点。相关工作发表在J. Micromech. Microeng. 28 (2018)02005上。

图1：工艺过程

图2:不同形状的自支撑SiO三维纳米结构SEM图