用FIB沉积制备Ga注入的ZnS纳米线高增益光电传感器
ZnS的优良热稳定性和高迁移率，使其成为在平板显示、红外窗口、发光二极管等许多方面被广泛应用的宽禁带半导体材料。长期以来多个课题组用热蒸发、电子束蒸发等不同方法制备ZnS纳米带和纳米线的不同材料的电极，对其进行光电性能测量。来自台湾科技大学的Shih-Hsiang Yen 等人，用VLS机制合成了ZnS纳米线，并且用FIB气体诱导沉积技术制备纳米线Pt电极，并对其进行两端法的光点学性能测量，获得了良好的性能结果，其电导率、迁移率和空穴浓度分别为：9.13 Ω−1 cm−1, 13.14 cm2 V−1 s−1和4.27×1018 cm−3，其电流响应、电流增益、相应时间和恢复时间分别为：4.97×106 A W−1, 2.43×107, 9 s 和 24 s，并且势垒仅为40meV，分析认为离子源Ga的注入降低了ZnS与电极间的势垒。该成果发表在Nanotechnology 28 (2017) 395201 (6pp)上。
相关链接：http://iopscience.iop.org/article/10.1088/1361-6528/aa7d99/meta
图1 光敏纳米线晶体管的结构和性能
