1nm尺度下的球差矫正电子束直写

利用自上而下的加工技术实现1nm尺度图形的制备一直是一个难点，对于1nm图形结构的制备目前只能采用化学的方法实现。电子束曝光技术是纳米尺度图形制备的主流技术，但利用传统的电子束曝光技术很难实现4nm以下图形结构的制备。美国布鲁克海文国家实验室的Victor R. Manfrinato等人利用球差矫正的电子束直写技术，优化设备、曝光参数、衬底、显影等多项条件，最终在PMMA抗蚀剂上实现了目前最小的孤立结构1.7±0.5nm以及周期为10.7nm的密排结构。除了图形制备上存在难度，如何将制备的小尺度图形转移到衬底上是另一个具有挑战性的工作，他们利用该技术实现的抗蚀剂图形，采用溶脱及刻蚀两种方法分别实现了1-3nmAuPd结构及ZnO结构的制备。相关工作发表在Nano Lett. 上（DOI: 10.1021/acs.nanolett.7b00514）。

图1 曝光得到的高分辨抗蚀剂图形

图2 转移到衬底上的高分辨率图形