He离子束刻蚀的石墨烯纳米带的电输运

基于石墨烯的研究在过去的十余年来已经有了显著的发展，其纳米尺寸带结构的量子效应导致的带系特点等一直是人们研究的热点。过去的各种微纳加工工艺都很难得到无缺陷的石墨烯纳米带结构。荷兰的代尔夫特理工大学的Paul F.A. Alkemade等人利用He离子束刻蚀技术制备了多种尺寸的原子级平滑的石墨烯纳米带结构，并对其进行了低温电性能测量，测量结果显示随着纳米带宽度的减少，能带款增加。相关工作发表在Carbon 119 (2017) 419e425上。

相关链接：http://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S0008622317304293

图1 He离子显微镜刻蚀的石墨烯结构

图2 多种尺寸纳米带电性能测量结果