利用自收缩掩模实现亚3nm图形制备

随着纳米传感、纳米光学等发展，亚10nm图形的制备成为近些年来结构制备领域研究的热点，不同的制备方法被开发利用去实现亚10nm的图形制备，如氦氖离子显微镜、电子束曝光、扫描探针直写、纳米压印等。

台湾国立大学的Po-Shuan Yang等人开发了一个利用自收缩硬的介质掩模实现亚3nm图形制备的新技术。图1为制备流程图，首先利用传统的光刻技术在硬介质膜上（本文采用Al₂O₃）实现大尺度的图形，然后利用离子束（本文采用聚焦离子束设备）对具有结构的硬掩模进行辐照，在再沉积及离子束轰击引起的介质膜粘性流及表面扩散的作用下，图形的尺寸大大的缩小，从而实现亚3nm尺度图形，最终将介质膜上的图形转移到衬底上。如图2所示，该技术在实现亚3nm图形的同时，可实现高深宽比的亚10nm图形的制备，宽度为9.2nm的结构，深度可达280nm。该技术是一种有效的、高产出的实现亚3nm图形结构的新技术，相关工作发表 Scientific Reports 6（2016）69625上。

相关链接：http://www.nature.com/articles/srep29625

图1：自收缩掩模工艺流程图。

图2：利用145nm宽的Al₂O₃介质膜，采用自收缩掩模工艺实现亚3nm结构的制备。