EULITHA AG 的PhableR 100高分辨紫外光刻机

——百纳米至微米周期性结构的曝光

传统的紫外光刻机曝光分辨率为0.8 µm或1 µm。为突破衍射极限，降低成本，瑞士EULITHA AG公司开发了一种新型紫外光刻机PhableR 100，用于高分辨周期性结构图形（如光栅或点阵）的加工，其分辨率可达150 nm。PhableR 100是一套低成本的光学曝光系统。同传统的紫外曝光机类似，涂覆了光刻胶的晶片以接近方式放置在掩膜版下面。由于Eulitha公司拥有突破性的PHABLE曝光技术，在“PHABLE”模式下，分辨率不再受到衍射的限制，从而可曝光出亚微米线性光栅和二维光栅（六角形和正方形）。这一设备的加工分辨率较高（低于300nm pitch，DUV系统可实现160 nm周期光栅），可进行非接触式全场曝光； 此外，焦深几乎没有限制，也适用于表面不平的衬底（如外延片）；所制备的图形均匀性高，操作简单，可靠性高。在“mask aligner”模式下，能非常轻松地获得微米尺寸的图形。在LED光萃取层、蓝宝石衬底图形化（PSS）、磁性纳米结构、减反射图形、太阳能光伏、光栅、等离子图案、编码器标尺、滤色镜以及生物传感器等领域有着广泛的应用。

PhableR 100设备外观

采用PhableR 100加工的图形：

（左）直径为300nm硅纳米柱；（中）宽150nm光刻胶光栅；（右）3 µm周期等边三角形

详情请参考： http://www.instrument.com.cn/netshow/SH100250/C214316.htm