近年来,制备分子尺度的纳米间隙,使其具有新奇的电学特性以及研究其等离激元强耦合机制成为了一种新的潮流。为了研究纳米间隙中的光电流发射特性。慕尼黑科技大学的Alexander W. Holleitner等人证明了通过飞秒激光烧蚀在芯片上形成10纳米以下金属纳米间隙的加工技术的可行性。并探讨了隧道结的等离激元特性和非线性光电流特性。发现光电流可以由多光子吸收向激光诱导的强场隧穿方向调谐。证明了通过设计不对称的等离激元纳米间隙来实现单极弹道电子输运,这使得纳米尺度上的超快电子学成为可能。相关结果发表在Nano Lett. 19, 1172-1178 (2019)上。