中国22纳米获重大突破全球仅有Intel量产

基于目前技术，为了达到小纳米尺寸加工要求，须采用尽可能短的暴光波长，然而，随着曝光波长的缩短，整个光刻装备的成本也急剧上升。目前ASML光刻机以193纳米波长光源，实现了达到7纳米级的芯片蚀刻，其售价也达到近亿美元，而对于中国来说，还不一定买得到。而中科院科学家却另辟蹊径首次提出基于微结构边际的LSP超分辨光刻技术，该技术利用微纳结构边际作为掩模图形，对表面等离子体进行有效激发，其采用普通I-line、G-line光源获得了特征尺寸小于30纳米的超分辨光刻图形。该技术在原理上突破分辨力衍射极限，建立了一条高分辨、大面积的纳米光刻装备研发新路线，绕过国外相关知识产权壁垒。理论研究表明，该技术可获得特征尺寸小于1/10曝光波长的纳米结构，并利用365纳米光源从实验上获得了超越衍射极限的光刻分辨率。这将为我国正在迅猛发展的信息产业技术及纳米科技提供坚实的加工制备基础。