芯片上的零折射率超材料

零折射率超材料具有很多新奇的物理特性，例如无限相速度、无限波长等使得这种超材料在调控与研究一系列光学现象时具有重要的作用。虽然有关于零折射率超材料的报道，但是却无法方便的将这些超材料集成到芯片上。为了制备芯片上的零折射率超材料，来自哈佛大学的Eric Mazur小组在硅上刻蚀低深宽比的硅柱，并利用SU8与金进行覆盖得到了零折射率的超材料，并且通过检测其反射光直接观察到了在1680nm处的零折射率效应，并且与模拟的结果完美的拟合。对于这个结构的光子能带模拟也证明了在1680处其折射率为零的事实。该结果发表在Nature Photonics VOL 9 2015 738-743 上

相关链接：http://www.nature.com/articles/nphoton.2015.198

图：芯片上令折射率材料的制备及其光子能带，以及其零折射率的实验证明