特殊用途新型光刻胶

光刻胶是一大类具有光敏化学作用(或对粒子能量敏感)的高分子聚合物材料，是转移光学曝光、电子束或离子束等光刻图案的媒介。光刻后通过刻蚀或沉积等工艺进一步将此图案转移到光刻胶下面的衬底上，因此对光刻胶具有不同的要求。下面简单介绍几种新型的光刻胶，包括易于金属溶脱的光学光刻胶、去电荷累积以及高分辨高性价比电子束光刻胶以及耐酸碱腐蚀涂层胶。

1. 用于金属溶脱的剖面可调胶AR-U 4000：

敏感波长范围308―450 nm,通过工艺参数的简单调整，获得不同的图形结构，尤其是可得到明显的倒梯形结构，有利于lift-off工艺。 

2. 高分辨率电子束正胶AR-P 6200：

采用AR-P 6200，通过简单的工艺既可获得10nm以下的结构，深宽比高达20:1。具备优异的耐干法刻蚀能力（是传统PMMA胶的2倍），以及高灵敏度（是传统PMMA胶的3~6倍）。可以完全取代ZEP胶，而且价格比ZEP胶经济实惠，采购也更为便利。

3. 去电荷累积SX AR-PC 5000/90.2导电胶：

在绝缘衬底上做电子束曝光时，为了避免电荷累积，大家通常会选择涂一层导电胶，来消除电荷累积。SX AR-PC 5000/90.2就是起这个作用的，在正常的曝光结束后，导电胶会溶于水中，非常容易去除，不会影响正常的电子束曝光工艺。

4．耐酸碱刻蚀保护胶：

AR-PC 504耐碱保护胶，不含光敏物质，不能感光，耐碱性能优异。在40%的KOH中，该胶的保护时间可达数小时。但是对氧化性酸，如HF酸，的保护性能一般。SX AR-PC 5000/40在酸碱中有很好的耐刻蚀性能，不含光敏物质,通常用作衬底背面保护。但是和正胶或负胶配合，可通过双层工艺实现图形加工。在40%的KOH和50%的HF中，具有很好的保护作用的，耐刻蚀时间可以长达数小时。通常的用法是图于衬底背面，保护不需要取出的大面积衬底部分。