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日本NTT主任研究员章国强来我所作学术交流报告

    12月26日,应微加工实验室李俊杰研究员邀请,日本NTT物性科学基础研究所量子光学器件研究室章国强主任研究员来我所作学术交流报告,报告题目为“面向通讯波段光电器件的InP/InAs纳米线结构”。

    由于III-V族半导体在光电器件中的广阔应用前景,人们对高质量III-V族纳米线的可控制备产生了浓厚的兴趣。在本次报告中,章国强研究员介绍了一种兼容CMOS工艺的InP/InAs高质量异质纳米线的合成方法,还通过控制工艺参数实现了纳米线的形貌控制。制备的纳米线在室温下能够在通讯波段产生高质量的激光发射,并且通过控制纳米线结构形成PIN结,实现了室温下的光致发光,进一步设计了通讯波段的光电二极管器件。此外,章国强研究员还将纳米线生长与电子束光刻结合形成了规则的纳米线阵列结构,为光电子器件甚至光量子计算器件的研发奠定了基础。现场听众反应热烈,在讲座结束后就纳米线相关内容与章国强研究员进行了讨论。

讲座海报截图

 

 

章国强研究员进行学术报告

讲座现场照片