仪器设备

电感耦合等离子体反应离子刻蚀
Plasma100

型号: PlasmalabSystem100
厂家: 英国牛津仪器
技术指标:
  气路:Cl2, BCl3, SiCl4, HBr, CH4, O2,
     Ar, CF4, CHF3, C4F8, SF6
  样品尺寸:最大4英寸基片
  最大射频功率:RIE: 600W
                 ICP: 3000W
  控温范围: -130℃至150℃
  包括工艺:Bosch、低温、硅纳米等
  刻蚀材料:硅、氧化硅、III-V族半导体,氧化物等
  刻蚀精度:最小线宽30nm,最高深宽比30:1,
       侧壁倾斜角度85°—92°可调
责任工程师:耿广州
联系方式:82649098 gengzz@iphy.ac.cn
仪器位置:C楼超净间千级区
主要功能及应用范围:
    用于硅基、III-V族半导体及氧化物等材料的电感耦合等离子体-反应离子刻蚀,辅助形成具有高宽深比的微/纳结构。可用于各种具有高深宽比或高精细的微纳结构与器件的制作,如:微纳电子器件,光电子器件,生物传感器,微纳机电系统,超导电子学器件,磁电子学器件等等。该设备配有十一路刻蚀气路及液氮及冷却液控温系统,利用氦气快速导热,可适用于多种材料的刻蚀工艺。