型号： PlasmalabSystem100
厂家： 英国牛津仪器
技术指标:
  气路：Cl2, BCl3, SiCl4, HBr, CH4, O2,
  　　　Ar, CF4, CHF3, C4F8, SF6
  样品尺寸：最大4英寸基片
  最大射频功率：RIE: 600W
  　           　　　ICP: 3000W
  控温范围： -130℃至150℃
  包括工艺：Bosch、低温、硅纳米等
  刻蚀材料：硅、氧化硅、III-V族半导体，氧化物等
  刻蚀精度：最小线宽30nm，最高深宽比30:1，
  　　　　　侧壁倾斜角度85°—92°可调

    用于硅基、III-V族半导体及氧化物等材料的电感耦合等离子体-反应离子刻蚀，辅助形成具有高宽深比的微/纳结构。可用于各种具有高深宽比或高精细的微纳结构与器件的制作，如：微纳电子器件，光电子器件，生物传感器，微纳机电系统，超导电子学器件，磁电子学器件等等。该设备配有十一路刻蚀气路及液氮及冷却液控温系统，利用氦气快速导热，可适用于多种材料的刻蚀工艺。