型号: PlasmalabSystem100
厂家: 英国牛津仪器
技术指标:
气路:Cl2, BCl3, SiCl4, HBr, CH4, O2,
Ar, CF4, CHF3, C4F8, SF6
样品尺寸:最大4英寸基片
最大射频功率:RIE: 600W
ICP: 3000W
控温范围: -130℃至150℃
包括工艺:Bosch、低温、硅纳米等
刻蚀材料:硅、氧化硅、III-V族半导体,氧化物等
刻蚀精度:最小线宽30nm,最高深宽比30:1,
侧壁倾斜角度85°—92°可调
责任工程师:张忠山
联系方式:82649098 zhangzs@iphy.ac.cn
仪器位置:C楼超净间千级区