仪器设备

聚焦离子束系统 Helios

型号: Helios 600i
厂家: 美国FEI公司
性能指标:

Ga离子束系统:

交叉点分辨率:≤ 4.5 nm @ 30 kV

加速电压: 500 V-30 kV

离子束流:1 pA 至65 nA

束流密度:最大值可达60 A/cm2

辅助气体注入系统:

沉积材料:离子束/电子束诱导的Pt、W 沉积

增强刻蚀:Si, SiO2

样品尺寸:最大4英寸

SEM系统:

分辨率:≤ 0.9 nm @ 15 kV;≤ 1.4 nm @ 1 kV;

束交叉点分辨率:≤ 1.0 nm @ 15 kV;≤ 2.5 nm @ 1 kV

加速电压:350 V-30 kV   

电子束流:最大22 nA

样品台:

X、Y 方向最大行程:不低于150 mm,精度优于1.0 µm

Z方向最大行程:10 mm

水平旋转角范围:360º

倾角范围:‐10º至+60º; 水平漂移小于10 nm/min

最大样品高度:55 mm

控制系统:

基于Windows XP 操作系统的32 位图形用户界面

图像显示:两台19” LCD 显示器,SVGA 1280 x 1024,屏幕间切换由软件驱动

图像处理器: 驻留时间0.025 到25000 微秒/像素; 最高像素:4096 x 3536

               文件格式:TIFF (8, 16, 24 位),BMP 或JPEG 格式; 单幅或4 幅显示

多功能控制面板:

自带16 位图像生成器,可导入GDS 图形文件加工复杂图形

责任工程师:金爱子
联系方式:82648198 azjin@iphy.ac.cn
仪器位置:M楼超净间千级区
主要功能及应用范围:
     各种微纳器件和低维纳米人工结构的制作,是研究材料在低维度、小尺寸下量子行为的重要工具。常用于制备微纳电子器件、光电子器件、生物传感器、DNA探测器、微纳机电系统、超导电子学器件、磁电子学器件以及低维材料输运性质测量的纳米电极。还可以通过离子束辐照诱导微纳米材料的形变来进行应变加工,用于光学、电学、磁学、生物等三维新型结构与器件的构建。另外,此设备安装有高精度纳米机械手,方便制备TEM样品以及对微纳米材料进行操控。